Академик Вадим Евгеньевич Лашкарев.
(1903-1974)
40-е годы XX-го века

Основоположник микроэлектронных технологий в Украине. В 1941 году первый в мире экспериментально обнаружил p-n переход и раскрыл механизм электронно-дырочной диффузии на основе которых под его руководством в годы Великой отечественной войны (1941 - 1945 гг.) были созданы первые полупроводниковые диоды, а в начале 50-х годов - первые полупроводниковые триоды. Основатель и директор (с 1960 по 1970 год) Института полупроводников НАН Украины. В 2002 году институту присвоено имя Вадима Евгеньевича Лашкарева