Золотые вехи в развитии информационных технологий в Украине

Открытие p-n перехода в полупроводниках академиком В.Е. Лашкаревым

Уберем еще одно "белое пятно" в развитии информационных технологий в Украине. Это связано с деятельностью выдающегося украинского физика Вадима Евгеньевича Лашкарева (1903-1974). Он по праву должен был бы получить Нобелевскую премию по физике за открытие транзисторного эффекта, которой в 1956 г. были удостоены американские ученые Джон Бардин, Вильям Шокли, Уолтер Браттейн.

Еще в 1941 г. В.Е. Лашкарев опубликовал статью "Исследование запирающих слоев методом термозонда" (Известия АН СССР. Сер.физ.Т5, 1941) и в соавторстве с К.М. Косоноговой статью "Влияние примесей на вентильный фотоэффект в закиси меди" (там же). Он установил, что обе стороны "запорного слоя", расположенного параллельно границе раздела медь - закись меди, имеют противоположные знаки носителей тока. Это явление получило название p-n перехода (p - от positive, n - от negative). В.Е. Лашкарев раскрыл и механизм инжекции - важнейшего явления, на основе которого действуют полупроводниковые диоды и транзисторы.

Первое сообщение в американской печати о появлении полупроводникового усилителя-транзистора появилось в июле 1948 г., спустя 7 лет после статьи В.Е. Лашкарева.

Ученый родился и получил высшее образование в Киеве, затем работал в Ленинграде. К сожалению, первые годы его творческой деятельности совпали с годами репрессий. Он был арестован и выслан в Архангельск, где заведовал кафедрой физики в мединституте (до 1939 г). Последующие, самые плодотворные 35 лет своей жизни, Вадим Евгеньевич провел в Киеве. Он оставил после себя плеяду учеников, выросших в крупных ученых, которые успешно продолжают начатые В.Е. Лашкаревым исследования.

В.Е. Лашкарев является пионером информационных технологий в Украине и в СССР в области транзисторной элементной базы средств вычислительной техники. Вполне справедливо считать его и одним из первых в мире основоположников транзисторной микроэлектроники. В 2002 г. имя В.Е. Лашкарева присвоено основанному им Институту полупроводников НАН Украины.

Иллюстрации   ›››